正品ATOS電液比例伺服閥工作原理ATOS比例伺服閥將其在高溫下定型后，冷卻到低溫狀態(tài)，對其施加外力。一般金屬在超過其彈性變形后會發(fā)生*變形，而SMA卻在將其加熱到某一溫度之上后，會恢復(fù)其原來高溫下的形狀。利用其特性研制的伺服閥是在閥芯兩端加一組由形狀記憶合金繞制的SMA執(zhí)行器，通過加熱和冷卻的方法來驅(qū)動SMA執(zhí)行器，使閥芯兩端的形狀記憶合金伸長或收縮，驅(qū)動閥芯作用移動，同時加入位置反饋來提高伺服閥的控制。從該閥的情況來看，SMA雖變形量大，但其響應(yīng)速度較慢，且變形不連續(xù)，也限制了其應(yīng)用范圍。
在ATOS伺服閥選擇中常常考慮的因素有：
A：閥的工作性能、規(guī)格；
B：工作可靠、性能穩(wěn)定、一定的抗污染能力； C：價格合理；
D：工作液、油源；
E：電氣性能和放大器；
F：安裝結(jié)構(gòu)，外型尺寸等等。
一：按控制精度等要求選用伺服閥：
系統(tǒng)控制精度要求比較低時，還有開環(huán)控制系統(tǒng)、動態(tài)不高的場合，都可以選用工業(yè)伺服閥甚至比例閥。只有要求比較高的控制系統(tǒng)才選用高性能的電液伺服閥，當(dāng)然它的價格亦比較高。
二：按用途選用伺服閥：
ATOS電液伺服閥有許多種類，許多規(guī)格，分類的方法亦非常多，而只有按用途分類的方法對我們選用伺服閥是比較方便的。按用途分：有通用型閥和專用型閥。專用型閥使用在特殊應(yīng)用的場合，例如：高溫閥、防爆閥、高響應(yīng)閥、余度閥、特殊增益閥、特殊重疊閥、特殊尺寸、特殊結(jié)構(gòu)閥、特殊輸入、特殊反饋的伺服閥等等。還有特殊的使用環(huán)境對伺服閥提出特殊的要求，例如：抗沖擊、震動、三防、真空ATOS比例伺服閥技術(shù)上的運用主要有兩種方式：其一，在ATOS比例伺服閥模擬控制元器件上加入D/A轉(zhuǎn)換裝置來實現(xiàn)其數(shù)字控制。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，可把控制元器件安裝在閥體內(nèi)部，通過計算機(jī)程序來控制閥的，實現(xiàn)數(shù)字化補(bǔ)償?shù)裙δ?。但存在模擬電路容易產(chǎn)生零漂、溫漂，需加D/A 轉(zhuǎn)換接口等問題。其二，為直動式數(shù)字控制閥。通過用步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動閥芯，將輸入信號轉(zhuǎn)化成電機(jī)的步進(jìn)信號來控制ATOS比例伺服閥的流量輸出。該閥具有結(jié)構(gòu)緊湊、速度及位置開環(huán)可控及可直接數(shù)字控制等優(yōu)點，被廣泛使用。
ATOS比例伺服閥在一定的電場作用下會產(chǎn)生外形尺寸的變化，在一定范圍內(nèi)，形變與電場強(qiáng)度成正比。壓電元件的主要材料為壓電陶瓷（ATOS比例伺服閥的疊堆型壓電伸縮陶瓷等。ATOS比例伺服閥的原理是：在閥芯兩端通過鋼球分別與兩塊多層壓電元件相連。通過壓電效應(yīng)使壓電材料產(chǎn)生伸縮驅(qū)動閥芯移動。實現(xiàn)電-機(jī)械轉(zhuǎn)換。PMN噴嘴擋板式伺服閥則在噴嘴處設(shè)置一與壓電疊堆固定連接的擋板，由壓電疊堆的伸、縮實現(xiàn)擋板與噴嘴間的間隙增減，使閥芯兩端產(chǎn)生壓差推動閥芯移動。目前壓電式電-機(jī)械轉(zhuǎn)換器的研制比較成熟并已得到較廣泛的應(yīng)用。它具有頻率響應(yīng)快的特點，伺服閥頻寬甚至能達(dá)到上千赫茲，但亦有滯環(huán)大、易漂移等缺點，制約了壓電元件在電液伺服閥上的進(jìn)一步應(yīng)用。
正品ATOS電液比例伺服閥工作原理在磁場的作用下能產(chǎn)生大得多的長度或體積變化。利用GMM轉(zhuǎn)換器研制的直動型伺服閥是把 GMM轉(zhuǎn)換器與閥芯相連，通過控制驅(qū)動線圈的電流，驅(qū)動GMM的伸縮，帶動閥芯產(chǎn)生位移從而控制伺服閥輸出流量。該閥與傳統(tǒng)伺服閥相比不僅有頻率響應(yīng)高的特點，而且具有精度高、結(jié)構(gòu)緊湊的優(yōu)點。目前，在ATOS比例伺服閥和內(nèi)燃機(jī)燃料噴射系統(tǒng)的高速強(qiáng)力電磁閥，進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計和特性研究。從目前情況來看GMM材料與壓電材料和傳統(tǒng)磁致伸縮材料相比，具有應(yīng)變大、能量密度高、響應(yīng)速度快、輸出力大等特點。各國對GMM電-機(jī)械轉(zhuǎn)換器及相關(guān)的技術(shù)研究相當(dāng)重視，GMM技術(shù)水平快速發(fā)展，已由實驗室研制階段逐步進(jìn)入市場開發(fā)階段。今后還需解決GMM的熱變形、磁晶各向異性、材料腐蝕性及制造工藝、參數(shù)匹配等方面的問題以利于在高科技域得到廣泛運用。
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